ОДНОПОЛЧАНЕ найди своих сослуживцев
забыл пароль    
Наша статистика
Зарегистрировано:
700.000 сослуживцев по армии
Создано:
6.700 групп по вч, ву и др.
Разыскиваются:
32.000 сослуживцев по армии

Новости, статьи, обзоры

07.03.2013

Инновационные технологии памяти: флешки на квантовых точках

Могли бы мы еще лет 20 назад подумать, что гигабайты записанных данных можно будет хранить на маленькой флешке. Вместе с тем, современные разработки и новости технологий будущего продолжают удивлять нас.
Например, совсем недавно ученые предложили новый способ хранения данных с помощью флеш-памяти. Технология флеш-памяти на квантовых точках призвана решить две проблемы, свойственные современным флешкам: продолжительное время записи и низкую стабильность записанных данных.
В обычной флешке ячейка памяти представляет собой вместилище из диоксида кремния, внутри которого располагается электронный заряд. В результате квантовых эффектов заряд может «просачиваться» через стенку вместилища в обоих направлениях. Со временем стенка вместилища разрушается, в результате чего электронный заряд начинает утекать бесконтрольно, а флешка становится негодной.
Наблюдая этот недостаток, ученые придумали заменять вместилище из диоксида кремния своеобразной «ямой». А внутри этой ямы вместо проводника поместить квантовые точки. Яма не обладает стенками, которые со временем могли бы разрушиться, что серьезно увеличивает ее долговечность.
Еще одно отличие ямы от вместилища в том, что в яму проще попасть, но вот выбраться оттуда также сложно. Получается, что в подобные ячейки памяти легко записать единицу, но сложно записать ноль. Подобное свойство может привести к тому, что флешка на квантовых точках будет быстро работать на запись, но долго на удаление.
Или наоборот - быстро на удаление и долго на запись – тут все зависит от выбора инженеров. Так или иначе, данная технология позволит значительно обойти обычную flash память в быстроте записи и долговечности.
Некоторые даже полагают, что благодаря тонкой настройке (можно сделать память с коротким временим жизни и быстрой перезаписью, а можно наоборот), технология памяти на квантовых точках сможет потягаться с DRAM – оперативной памятью ПК. Вот только на данный момент скорость записи у flash составляет десятки микросекунд против десятков наносекунд у DRAM. Поэтому маловероятно, что для подобного оптимизма имеются основания.

Василий Зарудин, специально для сайта Однополчане.net

Наша статистика
Зарегистрировано:
700.000 сослуживцев по армии
Создано:
6.700 групп по вч, ву и др.
Разыскиваются:
32.000 сослуживцев по армии